عنوان کامل پایان نامه : کاهش جریان نشتی در گیت قابل برنامه ریزی میدانی

تکه هایی از این پایان نامه :

نگهداری داده در سلول جدید

در سیکل­های نگهداری داده در سلول جدید ترانزیستور قطع کننده در حالت روشن بوده و گره  N  نیز در ولتاژ VDD  نگه داشته می­گردد (عزیزی مزرعه و همکاران 1387، 12). در حالتی که داده 1 در سلول جدید ذخیره شده ولتاژ بالا که معادل ورودی 1 برای مدار معکوس کننده ترانزیستورهای 3 و 4 می باشد از طریق گره ST  به ورودی این معکوس کننده اعمال می­گردد وسبب می گردد که ترانزیستور 3 که از نوع NMOS  بوده روشن و ترانزیستور 4 که از نوع  PMOS  می باشد خاموش گردد با روشن شدن ترانزیستور شماره 3 گره STB به زمین وصل شده و در نتیجه مقدار صفر منطقی به این گره اعمال می­گردد پس از این مرحله با در نظر داشتن این نکته که ورودی ترانزیسترو شماره 2 که از نوع  PMOS  می باشد به گرهSTB   وصل گردید سبب روشن شدن این ترانزیستور می­گردد و در نتیجه آن ولتاژ گره ST  به مقدارVDD  از طریق بایاسی که برای ترانزیستور شماره 2 هست می­رسد واین سیکل یا حلقه فیدبک مثبت که مستقر شده تا زمانی که بایاس 2 مستقر بماند سبب نگهداری و پایداری داده 1 در سلول می گردد و بدین شکل داده در سلول تا زمان خواندن از سلول باقی  می­ماند.

حال به مطالعه حالتی که در آن داده 0 در سلول ذخیره شده می پردازیم در این حالت ولتاژ در گره ST  در مقدار پایین می­باشد که این مقدار که معادل 0 منطقی می باشد به ورودی معکس کننده ترانزیستورهای 3 و 4 اعمال شده و سبب می­گردد که ترانزیستور شماره 3 خاموش شده و ترانزیستور شماره 4 روشن گردد در این زمان ترانزیستور شماره 4 که روشن شده ولتاژ گره STB را بالا و به مقدار VDD  می­کشد که در این حالت با در نظر داشتن این که ورودی ترانزیستور PMOS  شماره 2 به گره STB  متصل می باشد مقدار سطح ولتاژ بالایی که به این گره اعمال شده بود سبب خاموشی ترانزیستور شماره 2 می­گردد.

 متن فوق بخش هایی از این پایان نامه بود

شما می توانید مطالب مشابه این مطلب را با جستجو در همین سایت بخوانید

می توانید به لینک پایین صفحه مراجعه نمایید:

 thesis-power-word